K4A4G165WG-BCWE vs K4A4G165WE-BCTD तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G165WG-BCWE द्वारा Samsung Electronics और K4A4G165WE-BCTD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A4G165WG-BCWE ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung
K4A4G165WE-BCTD ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G165WG-BCWE | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $16.90 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | 256M x 16 |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel, x16 |
| डेटा दर | 3200 Mbps | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | 0C to +85C |
| पैकेज | FBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR4 | — |
| Product Status | Active | Active |
| RoHS स्थिति | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Die Generation | — | E-die |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |