K4A4G165WG-BCWE vs K4A4G165WE-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WG-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WE-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G165WG-BCWE | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $16.90 | — |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| میموری سائز | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | 256M x 16 |
| انٹرفیس | Parallel | Parallel, x16 |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | 0C to +85C |
| پیکیج | FBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR4 | — |
| Product Status | Active | Active |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Die Generation | — | E-die |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |