K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G045WB-BCRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WB-BCPB द्वारा Samsung Electronics और K4A8G045WB-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung
K4A8G045WB-BCRC ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WB-BCPB | K4A8G045WB-BCRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $4.10 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| Max Clock Frequency | 1066 MHz | — |
| Max Access Time | 0.18 ns | — |
| Max Standby Current | 0.016 mA | — |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Technology | CMOS, 8Gb B-die | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length | 78-ball FBGA (PBGA78) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | 0 C to 85 C |
| इंटरफ़ेस | DDR4 SDRAM parallel interface | CMOS, differential clock (CK/CK#) |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Operating Temperature Grade | Commercial (0C to 85C) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| संगठन | — | 2G x 4 |
| Speed | — | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V |
| Process Technology | — | Samsung B-die |
| Maximum Supply Current | — | 211.7 mA |
| Terminals | — | 78 |
| Key DDR4 Features | — | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset |
| DLL Mode | — | Timing specified for DLL-enabled operation |