K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G045WB-BCRC Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB-BCPB tarafından Samsung Electronics ve K4A8G045WB-BCRC tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung
K4A8G045WB-BCRC ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G085WB-BCPB | K4A8G045WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | $4,10 | — |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | — |
| Max Clock Frequency | 1066 MHz | — |
| Max Access Time | 0.18 ns | — |
| Max Standby Current | 0.016 mA | — |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Technology | CMOS, 8Gb B-die | — |
| Paket | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length | 78-ball FBGA (PBGA78) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +85C | 0 C to 85 C |
| Arayüz | DDR4 SDRAM parallel interface | CMOS, differential clock (CK/CK#) |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Operating Temperature Grade | Commercial (0C to 85C) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organizasyon | — | 2G x 4 |
| Speed | — | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V |
| Process Technology | — | Samsung B-die |
| Maximum Supply Current | — | 211.7 mA |
| Terminals | — | 78 |
| Key DDR4 Features | — | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset |
| DLL Mode | — | Timing specified for DLL-enabled operation |