K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WB-BCRC द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4A8G085WB K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gbit
संगठन 1G x 8 1G x 8
डेटा दर 2400 Mbps [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps]
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V 1.2 V
ऑपरेटिंग तापमान 0°C to 85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
पैकेज 78-ball FBGA 78-pin FBGA
Number of Terminals 78 —
Refresh Cycles 8192 —
Access Time 0.175 ns —
Technology CMOS —
Burst Length 8 and 4 —
On-Die Termination Yes —
Auto-Refresh Yes —
Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount
Operating Mode — DLL Enabled mode (per datasheet)
Speed Grade Suffixes — -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming)
tCL/cas latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x]
Bank Groups — [DATA_NEEDED: bank/bank group count]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
RoHS स्थिति — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Termination Voltage (VTT) — [DATA_NEEDED: VTT value]

डेटाशीट और संसाधन

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