K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BCRC توسط Samsung Electronics و K4A8G085WB توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BCRC | K4A8G085WB |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| سازمان | 1G x 8 | 1G x 8 |
| نرخ داده | 2400 Mbps | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| دمای کاری | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| بستهبندی | 78-ball FBGA | 78-pin FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| Operating Mode | — | DLL Enabled mode (per datasheet) |
| Speed Grade Suffixes | — | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) |
| tCL/cas latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| وضعیت RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Termination Voltage (VTT) | — | [DATA_NEEDED: VTT value] |