K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB-BCRC tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G085WB K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gbit
Organizasyon 1G x 8 1G x 8
Veri Hızı 2400 Mbps [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps]
Besleme Gerilimi 1.2 V 1.2 V
İşletim Sıcaklığı 0°C to 85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket 78-ball FBGA 78-pin FBGA
Number of Terminals 78 —
Refresh Cycles 8192 —
Access Time 0.175 ns —
Technology CMOS —
Burst Length 8 and 4 —
On-Die Termination Yes —
Auto-Refresh Yes —
Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
Montaj Türü — Surface Mount
Operating Mode — DLL Enabled mode (per datasheet)
Speed Grade Suffixes — -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming)
tCL/cas latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x]
Bank Groups — [DATA_NEEDED: bank/bank group count]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
RoHS Durumu — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Termination Voltage (VTT) — [DATA_NEEDED: VTT value]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin