K4A8G085WB-BIWE vs H5AN8G6NAFR-UHC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WB-BIWE द्वारा Samsung Electronics और H5AN8G6NAFR-UHC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WB-BIWE | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (CMOS) |
| मेमोरी आकार | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| डेटा दर | 3200 Mbps | 2400 MT/s |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +85°C | 0C to +85C |
| पैकेज | 78-FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto self-refresh |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Memory Density | — | 8 Gbit |
| संगठन | — | 512M x 16 |
| Clock Architecture | — | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous |
| Precharge | — | Auto precharge function |
| Reset | — | Asynchronous reset function |
| Data Mask | — | DM function supported |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration function |
| Error Checking | — | CRC function |
| Write Leveling | — | Write leveling function supported |