K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WB-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WB-BCTD द्वारा Samsung Electronics और K4A8G165WB-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $6.25 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| डेटा दर | 2666 Mbps | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | 0C to +85C |
| पैकेज | 96FBGA | 96FBGA |
| Die Generation | B-die | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (parallel, double data rate) | Parallel |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| Access Time | — | 19 ns |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |