K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WB-BCWE موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WB-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCWE
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ DRAM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $6.25
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
تنظیم 512M x 16 —
ڈیٹا ریٹ 2666 Mbps 3200 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +85C 0C to +85C
پیکیج 96FBGA 96FBGA
Die Generation B-die —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (BGA) Surface Mount
انٹرفیس DDR4 (parallel, double data rate) Parallel
Data Mask Supported (DM per x16 lane) —
ZQ Calibration Supported —
Dynamic On-Die Termination Supported —
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: Refresh Rate] —
RoHS اسٹیٹس Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL Level] —
میموری سائز — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
Access Time — 19 ns
Memory Format — DRAM (volatile)
Technology — DDR4 SDRAM B-die
Prefetch — 8n
Refresh — Self-refresh supported
Termination — On-die termination (ODT)
MSL لیول — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں