K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WB-BCWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WB-BCTD توسط Samsung Electronics و K4A8G165WB-BCWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ فعالSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | — | In Stock |
| قیمت واحد (USD) | — | $6.25 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| سازمان | 512M x 16 | — |
| نرخ داده | 2666 Mbps | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| دمای کاری | 0C to +85C | 0C to +85C |
| بسته‌بندی | 96FBGA | 96FBGA |
| Die Generation | B-die | — |
| نوع نصب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| رابط | DDR4 (parallel, double data rate) | Parallel |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| اندازه حافظه | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Access Time | — | 19 ns |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |