K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WB-BCWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WB-BCTD מאת Samsung Electronics ו K4A8G165WB-BCWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ פעילSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | DRAM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | — | In Stock |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $6.25 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| ארגון | 512M x 16 | — |
| קצב נתונים | 2666 Mbps | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | 0C to +85C |
| מארז | 96FBGA | 96FBGA |
| Die Generation | B-die | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| ממשק | DDR4 (parallel, double data rate) | Parallel |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| גודל זיכרון | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| Access Time | — | 19 ns |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |