K4A8G165WC-BCRC vs K4AAG165WM-BCRC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WC-BCRC द्वारा Samsung Electro-Mechanics और K4AAG165WM-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4A8G165WC-BCRC K4AAG165WM-BCRC
ब्रांड Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
श्रेणी EEPROM Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
स्टॉक स्थिति In Stock —
यूनिट मूल्य (USD) $19.69 —
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
मेमोरी आकार 8 Gbit —
संगठन 512M x 16 1G x 16
डेटा दर 2400 Mbps 3200 Mbps
Clock Frequency 1333 MHz —
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
इंटरफ़ेस Parallel, 16-bit DDR DDR4 (SSTL-12)
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
ऑपरेटिंग तापमान 0 C to +95 C [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC]
पैकेज 96-FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
विशेषताएँ Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die —
Memory Format DRAM —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Density — 16 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Data Mask Function — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps]

डेटाशीट और संसाधन

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