K4A8G165WC-BCRC vs K4AAG165WM-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WC-BCRC توسط Samsung Electro-Mechanics و K4AAG165WM-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WC-BCRC | K4AAG165WM-BCRC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | EEPROM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | In Stock | — |
| قیمت واحد (USD) | $19.69 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gbit | — |
| سازمان | 512M x 16 | 1G x 16 |
| نرخ داده | 2400 Mbps | 3200 Mbps |
| Clock Frequency | 1333 MHz | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| رابط | Parallel, 16-bit DDR | DDR4 (SSTL-12) |
| Standby Current (Idle) | 2 mA | — |
| Operating Current | 64 mA | — |
| دمای کاری | 0 C to +95 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| ویژگی‌ها | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Die Generation | C-die | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 16 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] |