K4A8G165WC-BCRC vs K4AAG165WM-BCRC השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WC-BCRC מאת Samsung Electro-Mechanics ו K4AAG165WM-BCRC מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר K4A8G165WC-BCRC K4AAG165WM-BCRC
מותג Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
קטגוריה EEPROM Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי In Stock —
מחיר ליחידה (USD) $19.69 —
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
גודל זיכרון 8 Gbit —
ארגון 512M x 16 1G x 16
קצב נתונים 2400 Mbps 3200 Mbps
Clock Frequency 1333 MHz —
מתח אספקה 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
ממשק Parallel, 16-bit DDR DDR4 (SSTL-12)
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
טמפרטורת פעולה 0 C to +95 C [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC]
מארז 96-FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
תכונות Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die —
Memory Format DRAM —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Density — 16 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Data Mask Function — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר