K4A8G165WC-BCRC vs K4AAG165WM-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WC-BCRC بذریعہ Samsung Electro-Mechanics اور K4AAG165WM-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WC-BCRC K4AAG165WM-BCRC
برانڈ Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
زمرہ EEPROM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت In Stock —
فی یونٹ قیمت (USD) $19.69 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit —
تنظیم 512M x 16 1G x 16
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps 3200 Mbps
Clock Frequency 1333 MHz —
سپلائی وولٹیج 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
انٹرفیس Parallel, 16-bit DDR DDR4 (SSTL-12)
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0 C to +95 C [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC]
پیکیج 96-FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
خصوصیات Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die —
Memory Format DRAM —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Density — 16 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Data Mask Function — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں