K4A8G165WC-BCRC vs K4AAG165WM-BCRC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WC-BCRC tarafından Samsung Electro-Mechanics ve K4AAG165WM-BCRC tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G165WC-BCRC K4AAG165WM-BCRC
Marka Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Kategori EEPROM Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $19,69 —
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 8 Gbit —
Organizasyon 512M x 16 1G x 16
Veri Hızı 2400 Mbps 3200 Mbps
Clock Frequency 1333 MHz —
Besleme Gerilimi 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Arayüz Parallel, 16-bit DDR DDR4 (SSTL-12)
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
İşletim Sıcaklığı 0 C to +95 C [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC]
Paket 96-FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Özellikler Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die —
Memory Format DRAM —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Density — 16 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Data Mask Function — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin