K4A8G165WC-BCRC vs K4AAG165WM-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G165WC-BCRC bằng Samsung Electro-Mechanics và K4AAG165WM-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G165WC-BCRC K4AAG165WM-BCRC
Thương hiệu Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Danh mục EEPROM Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho In Stock —
Giá đơn vị (USD) $19,69 —
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 8 Gbit —
Tổ chức 512M x 16 1G x 16
Tốc độ dữ liệu 2400 Mbps 3200 Mbps
Clock Frequency 1333 MHz —
Điện áp cung cấp 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Giao diện Parallel, 16-bit DDR DDR4 (SSTL-12)
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
Nhiệt độ hoạt động 0 C to +95 C [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC]
Hộp 96-FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Tính năng Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die —
Memory Format DRAM —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Density — 16 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Data Mask Function — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá