K4AAG085WM-BCWE vs MT40A2G8AG-062E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4AAG085WM-BCWE द्वारा Samsung Electronics और MT40A2G8AG-062E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4AAG085WM-BCWE | MT40A2G8AG-062E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Micron Technology |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| संगठन | 2G x 8 | 2G x 8 |
| डेटा दर | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | — |
| पैकेज | 78FBGA | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (JEDEC-standard) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Speed | — | DDR4-3200 (3200 MT/s) |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | 0.625 ns (tCK) |
| CAS लेटेंसी | — | CL22 (DDR4-3200) |
| Access Time | — | 19 ns |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| I/O Interface | — | POD12 (1.2 V pseudo-open drain) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups x 4 banks) |
| Operating Temperature (AUT grade) | — | -40C to +95C (per Micron grade table) |
| Die Revision | — | AG (current generation) |