K4AAG085WM-BCWE vs MT40A2G8AG-062E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4AAG085WM-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A2G8AG-062E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4AAG085WM-BCWE | MT40A2G8AG-062E |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | DRAM | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| تنظیم | 2G x 8 | 2G x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | — |
| پیکیج | 78FBGA | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| انٹرفیس | DDR4 (JEDEC-standard) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Speed | — | DDR4-3200 (3200 MT/s) |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | 0.625 ns (tCK) |
| CAS لیٹنسی | — | CL22 (DDR4-3200) |
| Access Time | — | 19 ns |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| I/O Interface | — | POD12 (1.2 V pseudo-open drain) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups x 4 banks) |
| Operating Temperature (AUT grade) | — | -40C to +95C (per Micron grade table) |
| Die Revision | — | AG (current generation) |