K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646E-BMMA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BCMA0 द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646E-BMMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ जीवन की समाप्ति
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646E-BMMA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | उत्पादन बंद | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $16.08 |
| मेमोरी प्रकार | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा दर | 1866 Mbps | 1600 Mbps |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.5 V | 1.35 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 85°C | -40°C to +95°C |
| पैकेज | 96-FBGA | 96-FBGA (9x13 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| लाइफसाइकिल स्थिति | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (Dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |