K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646E-BMMA השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BCMA0 מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646E-BMMA מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ סוף ייצור
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646E-BMMA |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | סוף חיים | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $16.08 |
| סוג זיכרון | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| קצב נתונים | 1866 Mbps | 1600 Mbps |
| מתח אספקה | 1.5 V | 1.35 V |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 85°C | -40°C to +95°C |
| מארז | 96-FBGA | 96-FBGA (9x13 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| סטטוס מחזור חיים | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| ממשק | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (Dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |