K4B4G1646D-BCMA0 vs MT41K256M16HA-125 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BCMA0 द्वारा Samsung Electronics और MT41K256M16HA-125 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ जीवन की समाप्ति
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BCMA0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | उत्पादन बंद | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $6.36 |
| मेमोरी प्रकार | DDR3 SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| मेमोरी आकार | 4 Gb | 4Gbit (256M x 16) |
| संगठन | 256M x 16 | — |
| डेटा दर | 1866 Mbps | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.5 V | 1.35 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| पैकेज | 96-FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| लाइफसाइकिल स्थिति | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| डेटा बस चौड़ाई | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| पिन की संख्या | — | 96 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| CAS लेटेंसी | — | 11 |