K4B4G1646D-BCMA0 vs MT41K256M16HA-125 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BCMA0 بواسطة Samsung Electronics و MT41K256M16HA-125 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ انتهى عمره الإنتاجي
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BCMA0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نهاية العمر الإنتاجي | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $6.36 |
| نوع الذاكرة | DDR3 SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| حجم الذاكرة | 4 Gb | 4Gbit (256M x 16) |
| التنظيم | 256M x 16 | — |
| معدل البيانات | 1866 Mbps | — |
| جهد التغذية | 1.5 V | 1.35 V |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | 96-FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| حالة دورة الحياة | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| عدد الدبابيس | — | 96 |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| زمن الوصول CAS | — | 11 |