K4B4G1646D-BCMA0 vs MT41K256M16HA-125 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BCMA0 tarafından Samsung Electronics ve MT41K256M16HA-125 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Son Kullanım Zamanı
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4B4G1646D-BCMA0 MT41K256M16HA-125
Marka Samsung Electronics Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Hayat Dönemi Sonu Aktif
Birim Fiyat (USD) — $6,36
Bellek Türü DDR3 SDRAM SDRAM - DDR3L
Bellek Boyutu 4 Gb 4Gbit (256M x 16)
Organizasyon 256M x 16 —
Veri Hızı 1866 Mbps —
Besleme Gerilimi 1.5 V 1.35 V
İşletim Sıcaklığı 0°C to 85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket 96-FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Memory Interface Parallel —
RoHS Compliant —
Klorürsüz Yes —
Lead Free Yes —
Yaşam Döngüsü Durumu EOL —
Technology DDR3 —
Number of Terminals 96 —
Veri Bus Genişliği — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Pin Sayısı — 96
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C
CAS Gecikme — 11

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin