K4B4G1646D-BYK00 vs H5TC4G63AFR-G7A तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BYK00 द्वारा Samsung Electronics और H5TC4G63AFR-G7A द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BYK00 | H5TC4G63AFR-G7A |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा दर | 1600 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.35V |
| पैकेज | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 85°C | 0°C to 95°C (case) |
| CAS लेटेंसी | Programmable | Programmable (e.g., 11) |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| हैलोजन फ्री | Yes | Yes |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| Refresh Period | — | 7.8us at 85°C |
| On-Die Termination | — | Supported |
| Process Technology | — | CMOS |