K4B4G1646D-BYK00 vs H5TC4G63AFR-G7A موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BYK00 بذریعہ Samsung Electronics اور H5TC4G63AFR-G7A بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 ✓ فعال
SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4B4G1646D-BYK00 H5TC4G63AFR-G7A
برانڈ Samsung Electronics SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
تنظیم 256M x 16 256M x 16
ڈیٹا ریٹ 1600 Mbps 1600 Mbps (PC3-12800)
سپلائی وولٹیج 1.35 V (also operates at 1.5 V) 1.35V
پیکیج 96-ball TFBGA 96-ball FBGA
Number of Terminals 96 —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to 85°C 0°C to 95°C (case)
CAS لیٹنسی Programmable Programmable (e.g., 11)
Additional Features Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
ہیلوجن فری Yes Yes
Package Shape RECTANGULAR —
Temperature Grade OTHER —
Burst Length — 8 and 4
Refresh Period — 7.8us at 85°C
On-Die Termination — Supported
Process Technology — CMOS

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں