K4B4G1646D-BYK00 vs H5TC4G63AFR-G7A So sánh

So sánh chi tiết song song của K4B4G1646D-BYK00 bằng Samsung Electronics và H5TC4G63AFR-G7A bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 ✓ Hoạt động
SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4B4G1646D-BYK00 H5TC4G63AFR-G7A
Thương hiệu Samsung Electronics SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Tốc độ dữ liệu 1600 Mbps 1600 Mbps (PC3-12800)
Điện áp cung cấp 1.35 V (also operates at 1.5 V) 1.35V
Hộp 96-ball TFBGA 96-ball FBGA
Number of Terminals 96 —
Nhiệt độ hoạt động 0°C to 85°C 0°C to 95°C (case)
Latency CAS Programmable Programmable (e.g., 11)
Additional Features Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Đông trùng haogen Yes Yes
Package Shape RECTANGULAR —
Temperature Grade OTHER —
Burst Length — 8 and 4
Refresh Period — 7.8us at 85°C
On-Die Termination — Supported
Process Technology — CMOS

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá