K4B4G1646D-BYK00 vs H5TC4G63AFR-G7A مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646D-BYK00 توسط Samsung Electronics و H5TC4G63AFR-G7A توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646D-BYK00 | H5TC4G63AFR-G7A |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نرخ داده | 1600 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.35V |
| بسته‌بندی | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| دمای کاری | 0°C to 85°C | 0°C to 95°C (case) |
| تأخیر CAS | Programmable | Programmable (e.g., 11) |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| بدون هالوژن | Yes | Yes |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| Refresh Period | — | 7.8us at 85°C |
| On-Die Termination | — | Supported |
| Process Technology | — | CMOS |