K4B4G1646D-BYK00 vs NT5CC256M16DP-DI तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BYK00 द्वारा Samsung Electronics और NT5CC256M16DP-DI द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BYK00 | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा दर | 1600 Mbps | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.35V |
| पैकेज | 96-ball TFBGA | VFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 85°C | — |
| CAS लेटेंसी | Programmable | 11, 12, 13 (programmable) |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Number of Banks | — | 8 |
| इंटरफ़ेस | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |