K4B4G1646D-BYK00 vs NT5CC256M16DP-DI Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BYK00 tarafından Samsung Electronics ve NT5CC256M16DP-DI tarafından Nanya TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BYK00 | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Veri Hızı | 1600 Mbps | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.35V |
| Paket | 96-ball TFBGA | VFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to 85°C | — |
| CAS Gecikme | Programmable | 11, 12, 13 (programmable) |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Arayüz | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |