K4B4G1646D-BYK00 vs NT5CC256M16DP-DI موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BYK00 بذریعہ Samsung Electronics اور NT5CC256M16DP-DI بذریعہ Nanya Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 ✓ فعال
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4B4G1646D-BYK00 NT5CC256M16DP-DI
برانڈ Samsung Electronics Nanya Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
تنظیم 256M x 16 256M x 16
ڈیٹا ریٹ 1600 Mbps 1600 Mbps/pin (800MHz)
سپلائی وولٹیج 1.35 V (also operates at 1.5 V) 1.35V
پیکیج 96-ball TFBGA VFBGA-96
Number of Terminals 96 —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to 85°C —
CAS لیٹنسی Programmable 11, 12, 13 (programmable)
Additional Features Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
ہیلوجن فری Yes —
Package Shape RECTANGULAR —
Temperature Grade OTHER —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -40°C to +95°C (industrial)
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Number of Banks — 8
انٹرفیس — Differential clock (CK, CK#)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes (ODT)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں