K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BYMA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646E-BMK0 द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646E-BYMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $14.32 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| पैकेज | 96-FBGA | FBGA-96 |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| डेटा दर | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| पिन की संख्या | — | 96 |