K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BYMA مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646E-BMK0 توسط Samsung Electronics و K4B4G1646E-BYMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $14.32 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| دمای کاری | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| بسته‌بندی | 96-FBGA | FBGA-96 |
| رابط | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| نرخ داده | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |