K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BYMA Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646E-BMK0 tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $14,32 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| İşletim Sıcaklığı | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Paket | 96-FBGA | FBGA-96 |
| Arayüz | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Veri Hızı | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Besleme Gerilimi | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| CAS Gecikme | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Pin Sayısı | — | 96 |