K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BYMA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BMK0 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $14.32 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| پیکیج | 96-FBGA | FBGA-96 |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| پنز کی تعداد | — | 96 |