K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BYMA השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646E-BMK0 מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $14.32 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| מארז | 96-FBGA | FBGA-96 |
| ממשק | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| קצב נתונים | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| מתח אספקה | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| מספר פינים | — | 96 |