K4RAH165VB-BCQK vs K4RBH086VB-BCQK तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4RAH165VB-BCQK द्वारा Samsung Electronics और K4RBH086VB-BCQK द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4RAH165VB-BCQK | K4RBH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| डेटा दर | 4800 Mbps | 4800 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | 1.1 V |
| Error Correction | On-die ECC | — |
| विशेषताएँ | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| पैकेज | 106-ball FBGA | FBGA-82 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Packaging | Tray | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Active | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Unit Price | [DATA_NEEDED: unit price] | — |
| Density | — | 16 Gb |
| संगठन | — | 2G x 8 |
| इंटरफ़ेस | — | DDR5 (CA bus, ODECC) |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] |
| Power Supply Rails | — | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |