K4RAH165VB-BCQK vs K4RBH086VB-BCQK مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH165VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics و K4RBH086VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RAH165VB-BCQK | K4RBH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| معدل البيانات | 4800 Mbps | 4800 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | 1.1 V |
| Error Correction | On-die ECC | — |
| الميزات | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | 106-ball FBGA | FBGA-82 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Packaging | Tray | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] |
| حالة دورة الحياة | Active | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Unit Price | [DATA_NEEDED: unit price] | — |
| Density | — | 16 Gb |
| التنظيم | — | 2G x 8 |
| الواجهة | — | DDR5 (CA bus, ODECC) |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] |
| Power Supply Rails | — | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |