K4RAH165VB-BCQK vs K4RBH086VB-BCQK Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4RAH165VB-BCQK tarafından Samsung Electronics ve K4RBH086VB-BCQK tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4RAH165VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Bellek Boyutu 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
Veri Hızı 4800 Mbps 4800 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V 1.1 V
Error Correction On-die ECC —
Özellikler Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
İşletim Sıcaklığı 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket 106-ball FBGA FBGA-82
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) —
Packaging Tray [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]
Yaşam Döngüsü Durumu Active —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Density — 16 Gb
Organizasyon — 2G x 8
Arayüz — DDR5 (CA bus, ODECC)
On-die ECC — Yes
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin