K4RAH165VB-BCQK vs K4RBH086VB-BCQK مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4RAH165VB-BCQK توسط Samsung Electronics و K4RBH086VB-BCQK توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ فعال
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4RAH165VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK
برند Samsung Electronics Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
اندازه حافظه 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
نرخ داده 4800 Mbps 4800 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V 1.1 V
Error Correction On-die ECC —
ویژگی‌ها Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
دمای کاری 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
بسته‌بندی 106-ball FBGA FBGA-82
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) —
Packaging Tray [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]
وضعیت چرخه عمر Active —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Density — 16 Gb
سازمان — 2G x 8
رابط — DDR5 (CA bus, ODECC)
On-die ECC — Yes
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)
سطح MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت