K4RAH165VB-BCQK vs K4RBH086VB-BCQK השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4RAH165VB-BCQK מאת Samsung Electronics ו K4RBH086VB-BCQK מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר K4RAH165VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK
מותג Samsung Electronics Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
גודל זיכרון 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
קצב נתונים 4800 Mbps 4800 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V 1.1 V
Error Correction On-die ECC —
תכונות Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
טמפרטורת פעולה 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
מארז 106-ball FBGA FBGA-82
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) —
Packaging Tray [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]
סטטוס מחזור חיים Active —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Density — 16 Gb
ארגון — 2G x 8
ממשק — DDR5 (CA bus, ODECC)
On-die ECC — Yes
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)
רמת MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר