K6F3216U6M-EF70T vs K6X1008C2D-TF55 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K6F3216U6M-EF70T द्वारा Samsung Electronics और K6X1008C2D-TF55 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung
K6X1008C2D-TF55 ✗ जीवन की समाप्तिविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K6F3216U6M-EF70T | K6X1008C2D-TF55 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | उत्पादन बंद |
| मेमोरी प्रकार | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| मेमोरी आकार | 32 Mbit | 1 Mbit |
| संगठन | 2M x 16 | 128K x 8 |
| सप्लाई वोल्टेज | 3 V | — |
| Access Time | 55 ns | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Technology | Full CMOS Static RAM | Low Power Full CMOS |
| पैकेज | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) | 32-TSOP REVERSE |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Speed Grade | -EF70 (55 ns) | — |
| Standard Pack Qty | 2400 | — |
| RoHS स्थिति | NO (per third-party listing) | RoHS: Yes (per distributor listing) |
| Memory Composition | Volatile SRAM | — |
| Refresh Requirement | None (static memory) | — |
| Access Time (tAA) | — | 55 ns |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Operating Current | — | 35 mA |
| Speed Options | — | 55 ns, 70 ns |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Memory Format | — | Volatile (SRAM) |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |