K6F3216U6M-EF70T vs K6X1008C2D-TF55 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6F3216U6M-EF70T بذریعہ Samsung Electronics اور K6X1008C2D-TF55 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung
K6X1008C2D-TF55 ✗ اختتامِ زندگیخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K6F3216U6M-EF70T | K6X1008C2D-TF55 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | اختتامِ زندگی |
| میموری ٹائپ | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| میموری سائز | 32 Mbit | 1 Mbit |
| تنظیم | 2M x 16 | 128K x 8 |
| سپلائی وولٹیج | 3 V | — |
| Access Time | 55 ns | — |
| انٹرفیس | Parallel | Parallel |
| Technology | Full CMOS Static RAM | Low Power Full CMOS |
| پیکیج | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) | 32-TSOP REVERSE |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Speed Grade | -EF70 (55 ns) | — |
| Standard Pack Qty | 2400 | — |
| RoHS اسٹیٹس | NO (per third-party listing) | RoHS: Yes (per distributor listing) |
| Memory Composition | Volatile SRAM | — |
| Refresh Requirement | None (static memory) | — |
| Access Time (tAA) | — | 55 ns |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Operating Current | — | 35 mA |
| Speed Options | — | 55 ns, 70 ns |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Memory Format | — | Volatile (SRAM) |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |