M29F160FB55N3F2 vs M29F200FB55N3F2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F160FB55N3F2 द्वारा Micron Technology और M29F200FB55N3F2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron
M29F200FB55N3F2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29F160FB55N3F2 | M29F200FB55N3F2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Obsolete | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | Parallel NOR Flash | Parallel NOR Flash |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| संगठन | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit |
| Number of Words | 1000 k | 128 K (x16 mode) |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| सप्लाई वोल्टेज | 5 V | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Bottom Boot Block (FB) |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 to +125 C | -40C to +125C |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Package Type | 48-TSOP | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (lead-free) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithm |
| Erase | — | Embedded block erase controller |
| पैकेज | — | 48-TSOP I |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |