M29F160FB55N3F2 vs M29F200FB55N3F2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F160FB55N3F2 tarafından Micron Technology ve M29F200FB55N3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron
M29F200FB55N3F2 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | M29F160FB55N3F2 | M29F200FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Obsolete | Aktif |
| Bellek Türü | Parallel NOR Flash | Parallel NOR Flash |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Organizasyon | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit |
| Number of Words | 1000 k | 128 K (x16 mode) |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Besleme Gerilimi | 5 V | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Bottom Boot Block (FB) |
| İşletim Sıcaklığı | -40 to +125 C | -40C to +125C |
| Arayüz | Parallel | Parallel |
| Package Type | 48-TSOP | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| RoHS Durumu | Compliant (lead-free) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithm |
| Erase | — | Embedded block erase controller |
| Paket | — | 48-TSOP I |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |