MRF6S9045NBR1 vs MRF6S9045NR1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MRF6S9045NBR1 द्वारा NXP Semiconductors और MRF6S9045NR1 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

NXP Semiconductors
MRF6S9045NBR1 MRF6S9045NBR1 - 880MHz 10W RF Power MOSFET | NXP Semiconductors

MRF6S9045NBR1 - 880MHz 10W RF Power MOSFET | NXP Semiconductors

MRF6S9045NBR1 ✓ सक्रिय
NXP Semiconductors
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NR1 - 880MHz 10W RF Power LDMOS | NXP

MRF6S9045NR1 - 880MHz 10W RF Power LDMOS | NXP

MRF6S9045NR1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MRF6S9045NBR1 MRF6S9045NR1
ब्रांड NXP Semiconductors NXP Semiconductors
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) Freescale Semiconductor (acquired by NXP)
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode
Technology Lateral DMOS, RF power Lateral MOSFET (RF Power)
Operating Frequency Up to 1000 MHz (typical 880 MHz) 880 MHz (up to 1000 MHz)
Drain-Source Voltage (V DSS min) 68 V —
Typical Operating Drain Voltage (V DD) 28 V —
Quiescent Drain Current (I DQ) 350 mA —
Output Power (P out avg) 10 W —
Power Gain (G ps) 22.7 dB at 880 MHz —
Drain Efficiency (η D) [DATA_NEEDED: drain efficiency %] —
Maximum Power Dissipation (P D max) 175 W —
Configuration Single, common-source —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (flange/ceramic) Surface Mount
पैकेज / केस NI-880H-2L (TO-272-2 variant) TO-270-2 (Case 1265-09, Style 1)
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: junction/storage temperature range] —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS स्थिति Compliant —
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) Rated — 68 V
Operating Drain Voltage (VDD) — 28 V (typical)
Continuous Drain Current (ID) — 10 uA (rated)
Quiescent Current (IDQ) — 350 mA
Output Power (Pout) — 10 W Avg.
Power Gain — 22.7 dB
Drain Efficiency — [DATA_NEEDED: typical efficiency percentage at Pout=10W]
Lead-Free / RoHS — Yes (N suffix = lead-free terminations)
VSWR Ruggedness — Infinite VSWR at rated VDD
Application — 880 MHz Single-Carrier N-CDMA Base Station PA

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध