MRF6S9045NBR1 vs MRF6S9045NR1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF6S9045NBR1 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF6S9045NR1 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

NXP Semiconductors
MRF6S9045NBR1 MRF6S9045NBR1 - 880MHz 10W RF Power MOSFET | NXP Semiconductors

MRF6S9045NBR1 - 880MHz 10W RF Power MOSFET | NXP Semiconductors

MRF6S9045NBR1 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NR1 - 880MHz 10W RF Power LDMOS | NXP

MRF6S9045NR1 - 880MHz 10W RF Power LDMOS | NXP

MRF6S9045NR1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MRF6S9045NBR1 MRF6S9045NR1
برانڈ NXP Semiconductors NXP Semiconductors
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) Freescale Semiconductor (acquired by NXP)
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode
Technology Lateral DMOS, RF power Lateral MOSFET (RF Power)
Operating Frequency Up to 1000 MHz (typical 880 MHz) 880 MHz (up to 1000 MHz)
Drain-Source Voltage (V DSS min) 68 V —
Typical Operating Drain Voltage (V DD) 28 V —
Quiescent Drain Current (I DQ) 350 mA —
Output Power (P out avg) 10 W —
Power Gain (G ps) 22.7 dB at 880 MHz —
Drain Efficiency (η D) [DATA_NEEDED: drain efficiency %] —
Maximum Power Dissipation (P D max) 175 W —
Configuration Single, common-source —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (flange/ceramic) Surface Mount
پیکیج / کیس NI-880H-2L (TO-272-2 variant) TO-270-2 (Case 1265-09, Style 1)
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: junction/storage temperature range] —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) Rated — 68 V
Operating Drain Voltage (VDD) — 28 V (typical)
Continuous Drain Current (ID) — 10 uA (rated)
Quiescent Current (IDQ) — 350 mA
Output Power (Pout) — 10 W Avg.
Power Gain — 22.7 dB
Drain Efficiency — [DATA_NEEDED: typical efficiency percentage at Pout=10W]
Lead-Free / RoHS — Yes (N suffix = lead-free terminations)
VSWR Ruggedness — Infinite VSWR at rated VDD
Application — 880 MHz Single-Carrier N-CDMA Base Station PA

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں