MRF6S9045NBR1 vs MRF6S9045NR1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MRF6S9045NBR1 מאת NXP Semiconductors ו MRF6S9045NR1 מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
NXP Semiconductors
MRF6S9045NBR1 - 880MHz 10W RF Power MOSFET | NXP Semiconductors
MRF6S9045NBR1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | MRF6S9045NBR1 | MRF6S9045NR1 |
|---|---|---|
| מותג | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) | Freescale Semiconductor (acquired by NXP) |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode |
| Technology | Lateral DMOS, RF power | Lateral MOSFET (RF Power) |
| Operating Frequency | Up to 1000 MHz (typical 880 MHz) | 880 MHz (up to 1000 MHz) |
| Drain-Source Voltage (V DSS min) | 68 V | — |
| Typical Operating Drain Voltage (V DD) | 28 V | — |
| Quiescent Drain Current (I DQ) | 350 mA | — |
| Output Power (P out avg) | 10 W | — |
| Power Gain (G ps) | 22.7 dB at 880 MHz | — |
| Drain Efficiency (η D) | [DATA_NEEDED: drain efficiency %] | — |
| Maximum Power Dissipation (P D max) | 175 W | — |
| Configuration | Single, common-source | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount (flange/ceramic) | Surface Mount |
| מארז / Case | NI-880H-2L (TO-272-2 variant) | TO-270-2 (Case 1265-09, Style 1) |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: junction/storage temperature range] | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Rated | — | 68 V |
| Operating Drain Voltage (VDD) | — | 28 V (typical) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 10 uA (rated) |
| Quiescent Current (IDQ) | — | 350 mA |
| Output Power (Pout) | — | 10 W Avg. |
| Power Gain | — | 22.7 dB |
| Drain Efficiency | — | [DATA_NEEDED: typical efficiency percentage at Pout=10W] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (N suffix = lead-free terminations) |
| VSWR Ruggedness | — | Infinite VSWR at rated VDD |
| Application | — | 880 MHz Single-Carrier N-CDMA Base Station PA |