NT5AD512M16C4-JRI vs NT5AD512M16A4-GZ तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5AD512M16C4-JRI द्वारा Nanya Technology और NT5AD512M16A4-GZ द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5AD512M16C4-JRI | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $75.58 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| डेटा दर | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2V |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C | Commercial and Industrial |
| पैकेज | TFBGA-96 | TFBGA-96 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8Gb |
| अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी | — | 1200 MHz |
| डेटा बस चौड़ाई | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| Lead-Free | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |